图：在2018中国国际应用科技交易博览会上GaN功率放大器芯片对外亮相大公报记者方俊明摄

　　【大公报讯】记者方俊明广州报道：随着国内外电信运营5G服务纷纷铺开，5G角逐不断加速。10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上，国产5G通信基站GaN（氮化镓）功率放大器芯片，在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。

　　拟明年推出 打破国外垄断

　　据透露，由中国科学院精英等高端人才组成的本创微电子团队，历经3年技术攻关，拥有工艺结构、封装结构多项专利，已完成多款关键GaN功率放大器芯片设计，并已获中电集团客户认证成功。5G-Sub6G基站所需的GaN芯片产品计劃明年推出，将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求。有业内专家指出，未来最大数据率料达每秒10Gbit，不仅人们之间相互快速通信，汽车、设备乃至生产机器人都将加入到网络中，届时物联网（IOT）、工业4.0或无人驾驶汽车都可实现“实时无线电通信”，不仅可靠而且可望更加廉价。

　　GaN是第三代半导体的代表材料，採用GaN的微波射频器件目前主要用於军事领域及4G/5G通讯基站应用场景。出於军事安全的考量，国外就高性能的“氮化镓”器件实行对华禁运。因此，发展自主GaN射频功放产业，对於打破国外垄断具有重要的意义。中国发明成果转化研究院有关负责人表示，在5G时代下，GaN将在无线通信和国防领域大展拳脚，以其功率／效率水平和高频性能，在高性能无线解决方案中发挥关键作用。